Antimony Telluride Sb2Te3 | Al2Te3 As2Te3 Bi2Te3 Ga2Te3 3N 4N 5N Featured Image

Антимон телурид Sb₂Te₃|Ал₂Te₃ As₂Te₃ Bi₂Te₃ Ga₂Te₃3N 4N 5N

Описание

Антимон телуридSb₂Te₃, съставен полупроводник от група VA, VIA елементи в периодичната таблица.С хексагонално-ромбоедрична структура, плътност 6.5g/cm³, точка на топене 620^oC, ширина на лентата 0,23 eV, CAS 1327-50-0, MW 626,32, разтворим е в азотна киселина и несъвместим с киселини, неразтворим във вода и стабилност на незапалим.Антимоновият телурид принадлежи към групата-15 металоидни трихалкогениди, Sb₂Te₃кристалите имат типичен страничен размер, правоъгълна форма и метален външен вид, слоевете са подредени заедно чрез взаимодействия на Ван дер Ваалс и могат да бъдат ексфолирани в тънки 2D слоеве.Приготвен по метода на Бриджман, телуридът на антимон е полупроводник, топологичен изолатор и термоелектричен материал, материали за слънчеви клетки, вакуумно изпаряване.Междувременно Сб2Te3е важен основен материал за високопроизводителна памет с промяна на фазата или приложения за оптично съхранение на данни.Телуридните съединения намират много приложения като електролитен материал, полупроводникова добавка, QLED дисплей, IC поле и т.н. и други материални полета.

Доставка

Антимон телурид Sb₂Te₃и алуминиев телурид Al₂Te₃, Арсенов телурид As₂Te₃, бисмутов телурид Bi₂Te₃, Галиев телурид Ga₂Te₃в Western Minmetals (SC) Corporation с 4N 99,99% и 5N 99,999% чистота се предлагат под формата на прах -60 меша, -80 меша, гранула 1-6 мм, бучка 1-20 мм, парче, насипен кристал, пръчка и субстрат и т.н., или както е персонализирано спецификация за постигане на перфектно решение.

Запитване сега

Подробности

Етикети

Техническа Спецификация

Телуридни съединения

Телуридни съединениясе отнасят до металните елементи и металоидните съединения, които имат стехиометричен състав, променящ се в определен диапазон, за да образуват твърд разтвор на основата на съединение.Интерметалното съединение има отлични свойства между метала и керамиката и се превръща във важен клон на новите структурни материали.Телуридни съединения на антимон телурид Sb₂Te₃, Алуминиев телурид Al₂Te₃, Арсенов телурид As₂Te₃, бисмутов телурид Bi₂Te₃, кадмиев телурид CdTe, кадмиев цинков телурид CdZnTe, кадмиев манганов телурид CdMnTe или CMT, меден телурид Cu₂Te, галиев телурид Ga₂Te₃, германиев телурид GeTe, индиев телурид InTe, оловен телурид PbTe, молибденов телурид MoTe₂, волфрамов телурид WTe₂и неговите (Li, Na, K, Be, Mg, Ca) съединения и редкоземни съединения могат да бъдат синтезирани под формата на прах, гранула, бучка, бар, субстрат, обемен кристал и монокристал...

Не.	Вещ	Стандартна спецификация
Не.	Вещ	Формула	Чистота	Размер и опаковка
1	Цинков телурид	ZnTe	5N	-60 mesh, -80 mesh прах, 1-20 mm неправилна бучка, 1-6 mm гранула, мишена или празна. 500g или 1000g в полиетиленова бутилка или композитен плик, външна картонена кутия. Съставът на телуридни съединения се предлага при поискване. Специална спецификация и приложение могат да бъдат персонализирани за перфектно решение
2	Арсенов телурид	As₂Te₃	4N 5N
3	Антимон телурид	сб₂Te₃	4N 5N
4	Алуминиев телурид	Al₂Te₃	4N 5N
5	Бисмутов телурид	Bi₂Te₃	4N 5N
6	Меден телурид	Cu₂Te	4N 5N
7	Кадмиев телурид	CdTe	5N 6N 7N
8	Кадмиево-цинков телурид	CdZnTe, CZT	5N 6N 7N
9	Кадмиев манганов телурид	CdMnTe, CMT	5N 6N
10	Галиев телурид	Ga₂Te₃	4N 5N
11	Германиев телурид	GeTe	4N 5N
12	Индиев телурид	InTe	4N 5N
13	Оловен телурид	PbTe	5N
14	Молибденов телурид	MoTe₂	3N5
15	Волфрамов телурид	WTe₂	3N5

Алуминиев телурид

Алуминиев телурид Al₂Te₃илиТритуриум Диалуминий, CAS 12043-29-7, MW 436.76, плътност 4.5g/cm³, без миризма, е сиво-черен шестоъгълен кристал и стабилен при стайна температура, но се разлага на водороден телурид и алуминиев хидроксид във влажен въздух.Алуминиев телурид Al₂Te₃,може да се образува чрез взаимодействие на Al и Te при 1000°C, бинарната система Al-Te съдържа междинните фази AlTe, Al₂Te₃(α-фаза и β-фаза) и Al₂Te₅, Кристалната структура на α- Al₂Te₃е моноклинен.Алуминиев телурид Al₂Te₃се използва главно за фармацевтични суровини, полупроводници и инфрачервени материали.Алуминиев телурид Al₂Te₃в Western Minmetals (SC) Corporation с 4N 99,99% и 5N 99,999% чистота се предлага под формата на прах, гранула, бучка, парче, насипен кристал и т.н. или като персонализирана спецификация с вакуумна опаковка от бутилка или композитна торба.

Арсенов телурид

Арсенов телурид или арсенов дителлурид As₂Te₃, бинарно съединение от група I-III, е в два кристалографски Alpha-As₂Te₃и бета-ас₂Te₃, сред които Beta-As₂Te₃с ромбоедрична структура, проявява интересни термоелектрични (TE) свойства чрез регулиране на съдържанието на сплави.Поликристален арсенов телурид As₂Te₃съединение, синтезирано чрез прахова металургия, може да бъде интересна платформа за проектиране на нови TE материали с висока ефективност.Единичните кристали на As2Te3 се получават хидротермално чрез нагряване и постепенно охлаждане на смес от стехиометрични количества прахообразен As и Te в 25% w/w разтвор на HCl.Използва се главно като полупроводници, топологични изолатори, термоелектрически материали.Арсенов телурид As₂Te₃в Western Minmetals (SC) Corporation с чистота 99,99% 4N, 99,999% 5N може да се достави под формата на прах, гранула, бучка, парче, насипен кристал и т.н. или като персонализирана спецификация.

Бисмутов телурид

Бисмутов телурид Bi₂Te₃, P тип или N-тип, CAS № 1304-82-1, MW 800.76, плътност 7.642 g/cm³, точка на топене 585⁰C, се синтезира чрез процес на кристализация, контролиран от вакуумно топене, а именно с метода на Бриджман-Стокбарбър и метода на зоновото плаване.Като термоелектричен полупроводников материал псевдобинарната сплав Bismuth Telluride представя най-добрите характеристики за приложения за термоелектрическо охлаждане при стайна температура за миниатюризирани универсални охлаждащи устройства в широк спектър от оборудване и генериране на енергия в космически превозни средства.Чрез използването на подходящо ориентирани монокристали вместо поликристални, ефективността на термоелектрическото устройство (термоелектрически охладител или термоелектрически генератор) може да се увеличи значително, което може да се основава на полупроводниково охлаждане и генериране на електроенергия при температурна разлика, а също и за оптоелектронни устройства и Bi2Te3 тънък филмов материал.Бисмутов телурид Bi₂Te₃в Western Minmetals (SC) Corporation е в размер на прах, гранула, бучка, пръчка, субстрат, насипен кристал и т.н., които трябва да бъдат доставени с 4N 99,99% и 5N 99,999% чистота.

Галиев телурид

Галиев телурид Ga₂Te₃е твърд и чуплив черен кристал с MW 522,24, CAS 12024-27-0, точка на топене 790 ℃ и плътност 5,57g/cm³.Монокристален Gallium Telluride GaTe е разработен чрез използване на различни техники за растеж като Bridgman Growth, Chemical Vapor Transport CVT или Flux Zone Growth за оптимизиране на размера на зърната, концентрацията на дефекти, структурната, оптичната и електронната консистенция.Но техниката на Flux zone е техника без халиди, използвана за синтезиране на наистина полупроводников клас vdW кристали, която се отличава от CVT техниката за транспортиране на химически пари, за да осигури бавна кристализация за перфектна атомна структура и растеж на кристали без примеси.Gallium Telluride GaTe е слоест полупроводник, принадлежащ към кристала III-VI метални съединения с две модификации, които са стабилен α-GaTe с моноклинна структура и метастабилен β-GaTe с хексагонална структура, добри транспортни свойства от p-тип, директна лента- празнина от 1,67 eV в обема, хексагоналната фаза се превръща в моноклинна фаза при висока температура.Слоестият полупроводник от галиев телурид притежава интересни свойства, привлекателни за бъдещи оптико-електронни приложения.Галиев телурид Ga₂Te₃в Western Minmetals (SC) Corporation с чистота 99,99% 4N, 99,999% 5N може да се достави под формата на прах, гранула, бучка, парче, прът, насипен кристал и т.н. или като персонализирана спецификация.