Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2 Featured Image

Кадмиев арсенид Cd₃As₂|GaAs InAs Nb₃As₂

Описание

Кадмиев арсенид Cd₃As₂5N 99,999%,тъмно сив цвят, с плътност 6.211g/cm³, точка на топене 721°C, молекула 487.04, CAS12006-15-4, разтворим в азотна киселина HNO₃ и стабилност във въздуха, е синтезиран съставен материал от кадмий с висока чистота и арсен.Кадмиевият арсенид е неорганичен полуметал от семейството II-V и проявява ефекта на Нернст.Кристалът на кадмиев арсенид, отгледан по метода на растеж на Bridgman, неслоеста обемна полуметална структура на Dirac, е изроден полупроводник от N-тип II-V или полупроводник с тясна междина с висока подвижност на носителя, ниска ефективна маса и силно непараболична проводимост банда.Кадмиев арсенид Cd₃As₂или CdAs е кристално твърдо вещество и намира все повече и повече приложения в полупроводниците и във фотооптичното поле, като например в инфрачервени детектори, използващи ефекта на Нернст, в тънкослойни сензори за динамично налягане, лазер, светодиоди, излъчващи светлина, квантови точки, до направете магниторезистори и фотодетектори.Арсенидни съединения на арсенид GaAs, индиев арсенид InAs и ниобиев арсенид NbAs или Nb₅As₃намерете повече приложение като електролитен материал, полупроводников материал, QLED дисплей, IC поле и други материални полета.

Доставка

Кадмиев арсенид Cd₃As₂и галиев арсенид GaAs, индиев арсенид InAs и ниобиев арсенид NbAs или Nb₅As₃в Western Minmetals (SC) Corporation с 99,99% 4N и 99,999% 5N чистота е в размер на поликристален микропрах -60 меша, -80 меша, наночастици, бучка 1-20 мм, гранула 1-6 мм, парче, празен, насипен кристал и монокристал и т.н. ., или като персонализирана спецификация, за да постигнете идеалното решение.

Запитване сега

Подробности

Етикети

Техническа Спецификация

Арсенидни съединения

Арсенидни съединения главно се отнасят до металните елементи и металоидните съединения, които имат стехиометричен състав, променящ се в определен диапазон, за да образуват твърд разтвор на основата на съединение.Интерметалното съединение има отлични свойства между метала и керамиката и се превръща във важен клон на новите структурни материали.Освен галиев арсенид GaAs, индиев арсенид InAs и ниобиев арсенид NbAs или Nb₅As₃може също да се синтезира под формата на прах, гранула, бучка, пръчка, кристал и субстрат.

Не.	Вещ	Стандартна спецификация
Не.	Вещ	Чистота	Примес PPM Max всеки	Размер
1	Кадмиев арсенидCd₃As₂	5N	Ag/Cu/Ca/Mg/Sn/Fe/Cr/Bi 0,5, Ni/S 0,2, Zn/Pb 1,0	-60 меша -80 меша на прах, 1-20 mm бучка, 1-6 mm гранула
2	Галиев арсенид GaAs	5N 6N 7N	Съставът на GaAs се предлага при поискване
3	Ниобиев арсенид NbAs	3N5	Съставът на NbAs се предлага при поискване
4	Индиев арсенид InAs	5N 6N	InAs Composition се предлага при поискване
5	Опаковане	500g или 1000g в полиетиленова бутилка или композитен плик, картонена кутия отвън

Галиев арсенид

Галиев арсенид GaAs, III-V съставен полупроводников материал с директна междина с кристална структура от цинкова смес, синтезиран е от галий и арсенови елементи с висока чистота и може да бъде нарязан и произведен във вафла и заготовка от единичен кристален слитък, отгледан чрез метода на вертикално градиентно замразяване (VGF) .Благодарение на неговата насищаща мобилност в зала и висока стабилност на мощността и температурата, тези радиочестотни компоненти, микровълнови интегрални схеми и LED устройства, направени от него, постигат страхотна производителност в своите високочестотни комуникационни сцени.Междувременно неговата ефективност на предаване на UV светлина също му позволява да бъде доказан основен материал във фотоволтаичната индустрия.Вафлата GaAs с галиев арсенид в Western Minmetals (SC) Corporation може да бъде доставена до 6" или 150 mm в диаметър с чистота 6N 7N и субстрат с механичен клас на галиев арсенид също е наличен. Междувременно поликристална пръчка, бучка и гранула и т.н. с чистота на галиев арсенид 99,999% 5N, 99,9999% 6N, 99,99999% 7N, предоставени от Western Minmetals (SC) Corporation, също са налични или като персонализирана спецификация при поискване.

Индиев арсенид

Индиев арсенид InAs, полупроводник с директна забранена лента, кристализиращ в структурата на цинковата смес, съединение от индий и арсенови елементи с висока чистота, отгледан по метода на Чохралски, капсулиран в течност (LEC), може да бъде нарязан и произведен във вафла от единичен кристален слитък.Поради ниската плътност на дислокациите, но постоянната решетка, InAs е идеален субстрат за допълнителна поддръжка на хетерогенните InAsSb, InAsPSb & InNAsSb структури или AlGaSb суперрешеткова структура.Следователно, той играе важна роля при производството на устройства, излъчващи инфрачервени вълни от 2-14 μm.Освен това изключителната мобилност в хола, но тесният енергиен диапазон на InAs също му позволява да се превърне в страхотен субстрат за производство на компоненти на хол или други лазерни и радиационни устройства.InAs от индиев арсенид в Western Minmetals (SC) Corporation с чистота 99,99% 4N, 99,999% 5N, 99,9999% 6N може да бъде доставен в субстрат с диаметър 2" 3" 4". Междувременно поликристална бучка индиев арсенид в Western Minmetals (SC) ) Corporation също се предлага или като персонализирана спецификация при поискване.

Ниобиев арсенид

Nйобиев арсенид Nb₅As₃ or NbAs,почти бяло или сиво кристално твърдо вещество, CAS № 12255-08-2, тегло на формулата 653.327 Nb₅As₃и 167.828 NbAs, е бинарно съединение на ниобий и арсен със състав NbAs, Nb5As3, NbAs4 ... и т.н., синтезирано чрез CVD метод, тези твърди соли имат много високи енергии на решетката и са токсични поради присъщата токсичност на арсена.Термичният анализ при висока температура показва, че NdAs показва изпаряване на арсен при нагряване. Ниобиев арсенид, полуметал на Weyl, е вид полупроводник и фотоелектричен материал в приложения за полупроводници, фотооптика, лазерни светоизлъчващи диоди, квантови точки, оптични сензори и сензори за налягане, като междинни продукти и за производство на свръхпроводници и др. Ниобиев арсенид Nb₅As₃или NbAs в Western Minmetals (SC) Corporation с чистота 99,99% 4N може да се достави под формата на прах, гранула, бучка, мишена и насипен кристал и т.н. или като персонализирана спецификация, която трябва да се съхранява в добре затворена, светлоустойчива кутия , сухо и хладно място.