Кадмиев манганов телурид CdMnTe 5N

Описание

Кадмиев манганов телурид CdMnTe или CMT99,999% 5N чистота, (Cd_0,8-0,9Mn_0,1-0,2Te, Cd_0,63Mn_0,37Te или друго атомно отношение Cd_1-хMn_xTe) е синтезирано съединение от кадмий, манган и телур и кристализира в шестоъгълна структура.Кадмиев манганов телурид CdMnTe (Cd_1-хMn_xTe) е обещаващ материал за приложения за откриване на рентгенови лъчи и гама-лъчи при стайна температура.С широколентова междина, варираща от 1,7-2,2 eV полупроводников кристал, отгледан чрез метода на модифицираната плаваща зона FZM или метода на пътуващия нагревател THM или методите Vertical Bridgman VB, той постига високо съпротивление, монокристал с голям обем и висока кристал с мобилен живот, който характеризира различни Mn аксиално разпределение, концентрации на примеси, съпротивление, без дефекти, ефекти на Хол и спектри на енергиен отговор.Проводимостта на кристала, отгледан с THM, е слаб N-тип, а VB е P-тип.Кадмиев манганов телурид в Western Minmetals (SC) Corporation с 99,999% 5N чистота може да бъде доставен в размер на прах, гранула, бучка 1-20 mm бучка, парче, диск D32, D50 и пръчка с опаковка от вакуумна композитна алуминиева торба или като персонализирана спецификация за да достигнете до идеалното решение.с вакуумна композитна алуминиева опаковка.

Приложения

Единичен кадмиево-манганов-телуриден кристал също проявява както ефекта на Покелс, така и по-големия ефект на Фарадей като ефективен материал за оптичен изолатор при по-дълги дължини на вълната, той е разреден магнитен полупроводников материал, който формира основата за много важни устройства като инфрачервени детектори, слънчеви клетки , сензор за магнитно поле, видими и близки инфрачервени лазери и използвани за фотоволтаични филмови клетки, електрооптичен модулатор и други оптични фотоволтаични материали.Като цяло той предлага няколко потенциални предимства пред CdZnTe и стойности като алтернативен детекторен материал на добре познатите CdZnTe детектори.